功耗降低50% 三星3nm工艺量产传来喜讯：良率改善之前

最近太久，LG的新陶瓷负面新闻不断，先前有传言称良率只有35%，冒失了NVIDIA及PLUS等顾客，不过LG一直指控，今天又有媒体报道称3nm陶瓷仍未批量生产，最这两项的良率也在增加中都。

这个喜讯是LG管理层向管理层报告的，标示出了LG对3nm陶瓷的期望，表示良率仍未增加，但是今天依然没有具体内容的细节泄露出来了。

此前的LG列入了2022年Q1季度财报全体会议，LG官方也指控了传言中都的良率不行的传言。

LG表示，5nm陶瓷仍未重回早熟，还在扩大服务，4nm陶瓷虽然良率提升流程显现出来了延迟，但仍未重回了预定的良率直线，预见的3nm陶瓷还在马上正式成立一条新的研发厂房。

对LG来说，3nm数据流是他们押注芯片陶瓷赶超MOS的这两项，因为MOS的3nm陶瓷不会上；也的GAA集成电路应用，LG的3nm数据流就会启用GAA应用，这是一种新型的紧挨栅极集成电路，通过可用石墨烯片设备制造者出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-走廊场效应管），该应用可以显著减弱集成电路性能，主要替换FinFET集成电路应用。

根据LG的说法，与7nm制造者陶瓷相比，3nm GAA应用的命题面积效率提高了45%以上，功耗降低了50%，性能提高了将近35%，仅仅常量上来说毫无疑问要胜过MOS3nm FinFET陶瓷。

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